上海临港新片区发布集成电路产业专项规划

原标题：上海临港新片区发布集成电路产业专项规划，将建设世界级“东方芯港”

记者 | 佘晓晨

3月3日，上海临港新片区发布了集成电路产业专项规划（2021-2025）。

规划提出，为进一步提升临港新片区集成电路产业能级，推动更多集成电路产业资源和创新要素向临港集聚，建设世界级的“东方芯港”，现依据《中国（上海）自由贸易试验区临港新片区总体方案》、《临港新片区创新型产业规划》、《临港新片区前沿产业发展“十四五”规划》，制定本规划。

规划提出，到2025年，推进重大项目落地建设，基本形成新片区集成电路综合性产业创新基地的基础框架；到2035年，构建起高水平产业生态，成为具有全球影响力的“东方芯港”。

具体而言，规划提出的发展目标包括产业规模、技术创新等5大方面。

在产业规模方面，到2025年，集成电路产业规模突破1000亿元，芯片制造、装备材料主导地位进一步加强，芯片设计、封装测试形成规模化集聚。

技术创新上，到2025年，先进工艺、成熟工艺、特色工艺进入国际前列，EDA工具、光刻胶、大硅片等关键“卡脖子”技术产业化取得突破，2种以上关键装备进入全球领先制造企业采购体系。

企业培育方面，到2025年，引进培育5家以上国内外领先的芯片制造企业；形成5家年收入超过20亿元的设备材料企业；培育10家以上的上市企业，围绕5G、CPU、人工智能、物联网、无人驾驶等细分领域发展壮大一批独角兽设计企业。

此外，在人才集聚方面，规划提出要汇聚超过2-5万名硕士以上学历的集成电路从业人员。

高质量发展上，园区集成电路产业投资强度1500万元/亩，产出强度1500万元/亩。

根据规划提出的主要任务，未来将围绕产业链高端、关键环节积极引进一批技术含量高、投资强度大、引领带动强的重大项目，支撑新片区集成电路产业高质量发展。

其中，在芯片制造上，积极对接引进国内最先进工艺线放大项目，推进磁存储器（MRAM）、3DNAND、半浮栅等新型存储项目落地，提升新片区芯片制造产业能级，夯实产业基础。打造国内特色工艺生产高地，坚持市场需求与技术开发相结合，推动BCD、IGBT、CIS、MEMs等特色工艺研发与产业化，支持细分领域IDM项目建设。

推动化合物半导体产业实现由国内引领向国际领先跨越。推进6英寸、8英寸GaAs、GaN和SiC工艺线建设，面向5G、新能源汽车等应用场景，加快化合物半导体产品验证应用。

此外，任务还包括构建芯片装备材料硬核产业集群：积极引进海内外装备、材料龙头企业，围绕重点企业、重点项目，加快布局建设完善的零部件供应体系，打造新片区集成电路装备、材料产业硬核产业集群。

推动集成电路装备产业规模化发展，重点支持12英寸高端刻蚀、清洗、离子注入、光刻、薄膜、湿法、热处理以及光学量测等设备的研发和产业化；支持硅材料产业做大作强，继续提升12英寸大硅片技术与产能；积极引进国内外光刻胶、掩膜板、第三代半导体等材料企业，加强关键材料的本地化配套能力。

规划提出，将重点支持：

一是EDA设计工具及关键IP，积极引进国内外EDA工具/IP企业，支持EDA工具/IP企业与龙头设计、代工企业合作开发工艺套件，支持针对汽车电子、5G、工业互联网等重点领域的EDA工具/IP开发；

二是智能网联新能源汽车、工业互联网、高端装备等临港重点产业配套关键核心芯片，围绕重点企业加强供应链安全需求，推动自主核心芯片研发，打造系统解决方案；

三是高端芯片，面向AI、5G射频、功率芯片、相变存储器（PCRAM）、阻变存储器（RRAM）等上海尚未有显著布局的新兴领域实现增量发展；

四是智能传感芯片，聚焦物联网及智能终端、无人驾驶、智慧医疗、工业互联网等重点应用领域，推动自主智能传感器产品创新及商业化应用。

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